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JAN1N3996ARA

更新时间: 2024-02-03 23:59:12
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
8页 482K
描述
10 Watt Zener Diodes Qualified per MIL-PRF-19500/124

JAN1N3996ARA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.61
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/124标称参考电压:5.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2%工作测试电流:490 mA

JAN1N3996ARA 数据手册

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