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JAN1N3013BRB

更新时间: 2024-01-22 12:18:25
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
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8页 482K
描述
10 Watt Zener Diodes Qualified per MIL-PRF-19500/124

JAN1N3013BRB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:1封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL标称参考电压:175 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:14 mA
Base Number Matches:1

JAN1N3013BRB 数据手册

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