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J308ZL1

更新时间： 2024-02-11 12:59:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
36页 377K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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J308ZL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.72
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：25 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

J308ZL1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Depletion  
1 DRAIN  
Motorola Preferred Devices  
3
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
1
V
DS  
GS  
GF  
2
3
Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
25  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 5  
TO–92 (TO–226AA)  
I
10  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–65 to +125  
–65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
–25  
—
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = –1.0 µAdc, V  
DS  
= 0)  
G
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= –15 Vdc, V  
= –15 Vdc, V  
= 0, T = 25°C)  
—
—
—
—
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
DS  
DS  
A
= 0, T = +125°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
V
Vdc  
GS(off)  
J308  
J309  
J310  
–1.0  
–1.0  
–2.0  
—
—
—
–6.5  
–4.0  
–6.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(1)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
mAdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
J308  
J309  
J310  
12  
12  
24  
—
—
—
60  
30  
60  
GS  
Gate–Source Forward Voltage  
(V = 0, I = 1.0 mAdc)  
V
GS(f)  
—
—
1.0  
Vdc  
DS  
G
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Common–Source Input Conductance  
Re(y )  
is  
mmhos  
(V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
J308  
J309  
J310  
—
—
—
0.7  
0.7  
0.5  
—
—
—
D
Common–Source Output Conductance  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
Re(y  
)
—
0.25  
—
mmhos  
dB  
os  
DS  
Common–Gate Power Gain  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
D
G
—
16  
—
pg  
DS  
D
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
3.0%.  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
4–151  
1234567...36

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
J309 NXP

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 		TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,25V V(BR)DSS,12MA I(DSS),TO-92
J309 MICROSS

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 		Linear Systems replaces discontinued Siliconix J309
J309 VISHAY

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 		N-Channel JFETs
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J309 INTERSIL

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 		N-CHANNEL JFET
J309 FAIRCHILD

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 		N-Channel RF Amplifier
J309 ONSEMI

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 		JFET VHF/UHF Amplifiers
J309 CALOGIC

获取价格

 		N-Channel JFET High Frequency Amplifier
J309 Linear Systems

获取价格

 		SINGLE N-CHANNEL HIGH FREQUENCY JFET
J309(OPTION18) TI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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