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J108D26Z

更新时间： 2024-01-26 01:56:10

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	729K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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J108D26Z 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	8 Ω	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J108D26Z 数据手册

N-Channel Switch

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)GSS

Gate-Source Breakdown Voltage

- 25

I_G= - 10 µA, V_DS= 0

I_GSS

Gate Reverse Current

V_GS= - 15 V, V_DS= 0

V_GS= - 15 V, V_DS= 0, T_A= 100°C

- 3.0

- 200

V_GS(off)

Gate-Source Cutoff Voltage

- 3.0

- 2.0

- 0.5

- 10

- 6.0

- 4.0

V_DS= 15 V, I_D= 10 nA

108

109

110

ON CHARACTERISTICS

I_DSS

Zero-Gate Voltage Drain Current*

_DS= 15 V, I_GS= 0

108

109

110

Drain-Source On Resistance

8.0

V_DS≤ 0.1 V, V_GS= 0

108

109

110

Ω

r_DS(on)

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Drain Gate & Source Gate On

Capacitance

V_DS= 0, V_GS= 0, f = 1.0 MHz

C_dg(on)

C_sg(off)

C_dg(off)

Drain-Gate Off Capacitance

Source-Gate Off Capacitance

V_DS= 0, V_GS= - 10 V, f = 1.0 MHz

C_sg(off)

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

Typical Characteristics

Parameter Interactions

Common Drain-Source

100

1,000

500

100

I_DSS@ V_DS= 5.0V, V_GS= 0 PULSED

- 2.0 V

V _GS= 0 V

r_DS@ V_DS= 100mV, V_GS= 0

V _GS(off)@ V_DS= 5.0V, I = 3.0 nA

- 1.0 V

- 3.0 V

r _DS

100

- 4.0 V

= 25°C

I _DSS

TYP

= - 5.0 V

GS(off)

- 5.0 V

^_0.1

^_0.5

V_{GS (OFF)}- GATE CUTOFF VOLTAGE (V)

^_1

^_5

^_10

0.4

0.8

1.2

1.6

V_DS- DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

123 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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