2SA1125

更新时间： 2024-02-20 02:44:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	90K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1125 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	260	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SA1125 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1125

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SC2633

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For audio frequency high voltage

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-50

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-100

1.5

P_C

T_C=25℃

T_j

150

℃

T_stg

-55~150

℃

12 3

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