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2SA1128R

更新时间： 2024-01-30 11:05:36

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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3页	49K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92

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2SA1128R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	130	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1128R 数据手册

Transistor

2SA1128

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Optimum for low-voltage operation and for converter circuits.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–25

Unit

0.45–⁺0⁰.^.1²

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–20

1.27

–7

–1

1 2 3

1:Emitter

I_C

– 0.5

600

2:Collector

3:Base

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

2.54±0.15

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

V_CB= –25V, I_E= 0

µA

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –20V, I_B= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–25

–20

–7

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –0.5A^*2

V_CE= –2V, I_C= –1A^*2

I_C= –500mA, I_B= –50mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

220

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.4

–1.2

Transition frequency

f_T

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

Note) S Rank V_CEO≥ 18V.

12 3

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