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2SA1129

更新时间： 2024-01-02 16:42:44

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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技术参数
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2SA1129 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1129 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1129

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·Large current capacity

·Complement to type 2SC2654

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplifiers

and mid-speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-30

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-30

Open collector

-7

I_CM

Collector current-peak

Base current

-15

I_B

-3.5

T_C=25℃

T_a=25℃

P_T

Collector power dissipation

1.5

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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