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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SA1283E

2SA1283E PDF预览

2SA1283E

更新时间： 2024-01-14 19:44:00

品牌	Logo	应用领域
谏早电子 - ISAHAYA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
Transistor

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2SA1283E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1283E 数据手册

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与2SA1283E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1283-T11-C	MITSUBISHI	暂无描述	获取价格
2SA1283-T11-D	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3	获取价格
2SA1284	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1284	ISAHAYA	FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
2SA1284-11-E	MITSUBISHI	暂无描述	获取价格
2SA1284C	ISAHAYA	Transistor	获取价格

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