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IS93C56A-3PA

更新时间: 2024-02-13 23:25:36
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13页 66K
描述
EEPROM

IS93C56A-3PA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.91
Is Samacsys:N备用内存宽度:8
最大时钟频率 (fCLK):2 MHz数据保留时间-最小值:40
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.4 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:16湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.000002 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.001 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

IS93C56A-3PA 数据手册

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®
IS93C46A  
IS93C56A  
IS93C66A  
ISSI  
AC WAVEFORMS  
FIGURE 8. ERASE (REGISTER ERASE) CYCLE TIMING  
SK  
t
CS  
CS  
DIN  
1
1
1
An  
An-1  
A0  
t
SV  
BUSY  
WP  
tDF  
DOUT  
READY  
t
Notes:  
To determine data bits An - A0, see Instruction Set for the appropriate device.  
FIGURE 9. ERASE ALL (ERAL) CYCLE TIMING  
SK  
t
CS  
CS  
DIN  
1
0
0
1
0
t
SV  
BUSY  
WP  
tDF  
DOUT  
READY  
t
Note for Figures 8 and 9:  
After the completion of the instruction (DOUT is in READY status) then it may perform another instruction. If device is in BUSY status  
(DOUT indicates BUSY status) then performs another instruction that would cause device malfunction.  
12  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. A  
11/12/02  

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