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IS61LV3216-20T

更新时间: 2024-02-26 17:13:41
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 429K
描述
Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,

IS61LV3216-20T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.86最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.16 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IS61LV3216-20T 数据手册

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IS61LV3216  
AC WAVEFORMS  
WRITE CYCLE NO. 1 (WE Controlled)(1,2)  
1
t
WC  
2
ADDRESS  
CE  
t
HA  
t
SCE  
3
t
PWB  
LB, UB  
4
t
AW  
t
PWE  
5
WE  
t
SA  
(1)  
WRITE  
D
6
t
SD  
t
HD  
IN  
7
t
HZWE  
t
LZWE  
HIGH-Z  
HIGH-Z  
D
OUT  
UNDEFINED  
UNDEFINED  
8
Notes:  
9
1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the CE and WE inputs and at least  
one of the LB and UB inputs being in the LOW state.  
2. WRITE = (CE) [ (LB) = (UB) ] (WE).  
10  
11  
12  
Integrated Circuit Solution Inc.  
7
SR009-0B  

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