是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP24/26,.36 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.14 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP24/26,.36 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IS41C44004-60TI | ISSI | EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24 |
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IS41C4400X | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41C44052 | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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IS41C44052-50J | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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IS41C44052-50JI | ISSI | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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IS41C44052-50J-TR | ISSI | DRAM |
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