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IRS2153DSPBF

更新时间： 2024-02-07 15:09:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 271K
描述
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDEGE DRIVER IC

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IRS2153DSPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：3.01
内置保护：UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SOURCE AND SINK封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：14 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：15.4 V
最小供电电压：10.1 V标称供电电压：14 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

IRS2153DSPBF 数据手册

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IRS2153D(S)PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All  
voltage parameters are absolute voltages referenced to COM, all currents are defined positive into any lead.  
The Thermal Resistance and Power Dissipation ratings are measured under board mounted and still air  
conditions.  
Parameter  
Symbol  
VB  
Definition  
Min.  
-0.3  
Max.  
625  
Units  
High Side Floating Supply Voltage  
V
VS  
VHO  
VLO  
IRT  
VRT  
VCT  
ICC  
High Side Floating Supply Offset Voltage  
High-Side Floating Output Voltage  
Low-Side Output Voltage  
RT Pin Current  
RT Pin Voltage  
CT Pin Voltage  
VB - 25  
VS – 0.3  
-0.3  
-5  
-0.3  
VB + 0.3  
VB + 0.3  
VCC + 0.3  
5
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
20  
V
V
V
mA  
V
V
-0.3  
---  
Supply Current (Note 1)  
mA  
IOMAX  
Maximum allowable current at LO and HO due to external  
power transistor Miller effect.  
-500  
500  
Allowable Offset Voltage Slew Rate  
-50  
---  
---  
---  
---  
-55  
-55  
---  
50  
1.0  
0.625  
85  
128  
150  
150  
300  
V/ns  
W
W
ºC/W  
ºC/W  
dVS/dt  
PD  
PD  
RθJA  
RθJA  
TJ  
Maximum Power Dissipation @ TA ≤ +25ºC, 8-Pin DIP  
Maximum Power Dissipation @ TA ≤ +25ºC, 8-Pin SOIC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, 8-Pin DIP  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, 8-Pin SOIC  
Junction Temperature  
TS  
TL  
Storage Temperature  
Lead Temperature (Soldering, 10 seconds)  
ºC  
This IC contains a zener clamp structure between the chip VCC and COM which has a nominal  
breakdown voltage of 15.4V. Please note that this supply pin should not be driven by a DC, low  
impedance power source greater than the VCLAMP specified in the Electrical Characteristics section.  
Note 1:  
2
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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