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IRLI530NPBF

更新时间： 2024-09-30 03:43:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 225K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLI530NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.43Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLI530NPBF 数据手册

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PD - 95635  
IRLI530NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Isolated Package  
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS ꢀ  
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm  
l Fully Avalanche Rated  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.10Ω  
G
l Lead-Free  
Description  
ID = 12A  
S
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial  
applications. The moulding compound used provides  
a high isolation capability and a low thermal resistance  
between the tab and external heatsink. This isolation  
is equivalent to using a 100 micron mica barrier with  
standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to  
a heatsink using a single clip or by a single screw  
fixing.  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current †  
12  
8.6  
A
60  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
41  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.27  
± 16  
150  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚†  
Avalanche Current†  
mJ  
A
9.0  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ†  
Operating Junction and  
4.1  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.7  
Units  
°C/W  
1
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
–––  
65  
www.irf.com  
07/23/04  
12345678

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