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IR2125Z

更新时间： 2024-01-25 07:04:12
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 140K
描述
CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER

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IR2125Z 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.83
高边驱动器：YES接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T8长度：10.31 mm
功能数量：1端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class S座面最大高度：4.44 mm
最大供电电压：18 V最小供电电压：12 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：418 V
电源电压1-分钟：7 V电源电压1-Nom：15 V
表面贴装：NO技术：CMOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
断开时间：330 µs接通时间：270 µs
宽度：7.62 mm

IR2125Z 数据手册

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PD - 60024C  
IR2125Z  
CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER  
Features  
n Floating channel designed for bootstrap  
Product Summary  
V
400V max.  
1A / 2A  
operation  
Fully operational to +400V  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
n Gate drive supply range from 12 to 18V  
n Undervoltage lockout  
OFFSET  
I +/-  
O
V
OUT  
12 - 18V  
VCSth  
230 mv  
t
(typ.)  
150 & 150 ns  
on/off  
n Current detection and limiting loop to limit driven  
power transistor current  
n Error lead indicates fault conditions and pro  
grams shutdown time  
n Output in phase with input  
Description  
The protection circuitry detects over-current in the driven  
power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle  
by cycle shutdown is programmed by an external  
The IR2125Z is a high voltage, high speed power  
MOSFET and IGBT driver with over-current limiting  
protection circuitry. Proprietary GVIC and latch immune  
CMOS technologies enable ruggedized minilithic  
consturction. Logic inputs are compatible with standard  
CMOS or LSTTL outputs. the ouput driver features a high  
pulse current buffer stage designed for minimum driver  
cross-conduction.  
capacitor which directly controls the time interval  
between detection of the over-current limiting conditions  
and latched shutdown. The floating channel can be used  
to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high  
or low side configuration which operates up to 400 volts.  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute Maximum Ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage  
parameters are absolute voltages referenced to COM. The Thermal Resistance and Power Dissipation ratings  
are measured under board mounted and still air conditions.  
Symbol  
Parameter  
High Side Floating Supply Voltage  
High Side Floating Supply Offset Voltage  
High Side Floating Output Voltage  
Logic Supply Voltage  
Min.  
-0.3  
-5  
Max.  
Units  
V
V
V + 20  
S
B
S
400  
V + 0.3  
B
V
V
V
V
- 0.3  
HO  
CC  
S
-0.3  
-0.3  
- 0.3  
20  
+ 0.3  
V
V
Error Signal Voltage  
V
CC  
ERR  
V
Current Sense Voltage  
V
B
+ 0.3  
+ 0.3  
CS  
S
V
Logic Input Voltage  
-0.3  
—
V
CC  
IN  
dV /dt  
Allowable Offset Supply Voltage Transient  
50  
V/ns  
W
s
P
D
Package Power Dissipation @ T £ +25°C  
A
—
1.0  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
—
100  
125  
150  
300  
°C/W  
qJA  
T
-55  
-55  
—
J
T
Storage Temperature  
°C  
S
T
Lead Temperature (Soldering, 10 seconds)  
L
www.irf.com  
1
5/16/01  
1234567...16

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