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IPLU300N04S4R8XTMA1

更新时间： 2024-01-08 20:08:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		PC 脉冲晶体管
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9页	286K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IPLU300N04S4R8XTMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	1.14
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	658674	Samacsys Pin Count：	12
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	IPLU300N04S4R8XTMA1-4	Samacsys Released Date：	2019-11-26 15:02:53
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	300 A	最大漏源导通电阻：	0.00077 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	300 pF
JESD-30 代码：	R-MBCC-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	2.8 W	最大功率耗散 (Abs)：	89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPLU300N04S4R8XTMA1 数据手册

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IPLU300N04S4-R8

Values

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Dynamic characteristics²⁾

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

17650

3790

130

22945 pF

4930

V _GS=0 V, V _DS=25 V,

f =1 MHz

300

V _DD=20 V, V _GS=10 V,

I _D=300 A, R _G=3.5 W

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

Gate Charge Characteristics²⁾

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q _gs

100 nC

Q _gd

V _DD=32 V, I _D=300 A,

V _GS=0 to 10 V

Q _g

221

4.4

287

V _plateau

Gate plateau voltage

Reverse Diode

Diode continous forward current²⁾

Diode pulse current²⁾

I _S

300

T _C=25 °C

I _S,pulse

1200

V _GS=0 V, I _F=100 A,

T _j=25 °C

V _SD

Diode forward voltage

0.9

1.3

Reverse recovery time²⁾

t _rr

V _R=20 V, I _F=50A,

di _F/dt =100 A/µs

Reverse recovery charge²⁾

Q _rr

132

¹⁾Current is limited by bondwire; with an R _thJC= 0.35 K/W the chip is able to carry 697A at 25°C.

²⁾Defined by design. Not subject to production test.

³⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

Rev. 1.0

page 3

2014-08-12

1 234 5 6 7...9

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IPM	STARPOWER	获取价格	ID30FFX60U3S Datasheet Rev.01
IPM01-003RN20RX300	TDK	获取价格	噪音抑制片(屏蔽)
IPM04C0A0R06FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM04C0A0S06FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM04S0A0R08FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM04S0A0R10FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM04S0A0S08FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM04S0A0S10FA	DELTA	获取价格	Delphi Series IPM, Non-Isolated, Integrated Point-of-Load Power Modules: 3V~5.5V input, 0.
IPM1-02-D	SAMTEC	获取价格	Connector Accessory
IPM1-02-D-GP	SAMTEC	获取价格	Connector Accessory

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