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IHP10T120 PDF预览

IHP10T120

更新时间： 2024-01-11 17:00:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 335K
描述
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

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IHP10T120 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：138 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：769 ns
标称接通时间 (ton)：69 nsBase Number Matches：1

IHP10T120 数据手册

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IHP10T120  
Soft Switching Series  
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology  
with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode  
•
•
Short circuit withstand time – 10µs  
Designed for :  
- Soft Switching Applications  
- Induction Heating  
C
E
•
Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :  
- very tight parameter distribution  
- high ruggedness, temperature stable behavior  
- easy parallel switching capability due to positive  
temperature coefficient in VCE(sat)  
G
P-TO-220-3-1  
(TO-220AB)  
- Very low Vce(sat)  
•
•
•
Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon™ HE diode  
Low EMI  
Application specific optimisation of inverse diode  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C  
Tj,max  
Marking  
Package  
Ordering Code  
IHP10T120  
1200V  
10A  
1.7V  
H10T120  
TO-220-3-1 Q67040-S4650  
150°C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
TC = 25°C  
VCE  
IC  
1200  
V
A
16  
10  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area  
ICpuls  
-
24  
24  
V
CE ≤ 1200V, Tj ≤ 150°C  
Diode forward current  
IF  
11  
7
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax, Tc = 25°C  
IFpuls  
IFSM  
16.5  
Diode surge non repetitive current, tp limited by Tjmax  
TC = 25°C, tp = 10ms, sine halfwave  
TC = 25°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
TC = 100°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
Gate-emitter voltage  
A
28  
50  
40  
VGE  
tSC  
V
±20  
10  
Short circuit withstand time1)  
µs  
V
GE = 15V, VCC ≤ 1200V, Tj ≤ 150°C  
Ptot  
Tj  
Tstg  
-
138  
W
Power dissipation, TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
-40...+150  
-55...+150  
260  
°C  
1) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.  
1
Rev. 2 Jun-04  
Power Semiconductors  
1234567...14

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