BTS3207N

更新时间： 2024-01-15 15:18:55

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Smart Lowside Power Switch

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BTS3207N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP, SOT-223	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	1.18
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
驱动器位数：	1	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	长度：	6.5 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	7.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOT-223
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	12 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.8 mm	子类别：	Peripheral Drivers
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	100 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BTS3207N 数据手册

ꢀ

HITFET ^ꢁII.Generation BTS 3207N

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Nominal load current

Clamping energy

S Logic Level Input

S Input Protection (ESD)

S Thermal shutdown with

auto restart

500 mꢀ

0.64

DS(on)

D(Nom)

150 mJ

S Overload protection

S Short circuit protection

S Overvoltage protection

S Current limitation

S Analog driving possible

VPS05163

Application

S All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching

or linear applications

S µC compatible power switch for 12 V DC applications

S Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

ꢁ

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded

protection functions.

Vbb

Drain

ꢀ

HITFET

Pin 2 and 4 (TAB)

Current

Overvoltage-

Protection

Limitation

Gate-Driving

Unit

Pin 1

Over-

Overload

Short circuit

Protection

temperature

Protection

ESD

Protection

Pin 3

Source

Page 1

V1.0, 2004-11-19

12 3 4 5 6 7...10

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