INA116P

更新时间： 2024-01-02 16:02:02

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描述
Ultra Low Input Bias Current INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA116P 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
标称带宽 (3dB)：	0.8 MHz	最小共模抑制比：	80 dB
最大输入失调电压：	4000 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
最大非线性：	0.005%	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	标称压摆率：	0.8 V/us
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压增益：	1000	最小电压增益：	1
Base Number Matches：	1

INA116P 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONT)

At T_A= +25°C, V_S= ±15V, R_L= 10kΩ, unless otherwise noted.

INPUT COMMON-MODE RANGE

vs OUTPUT VOLTAGE

INPUT REFERRED NOISE vs FREQUENCY

10k

G ≥ 10

G = 1

V_D/2

G = 1

G = 1V/V

+15V

–

V_O

–

INA116

V_D/2

Ref

G = 1

V_CM

–5

–10

–15

100

–15V

G = 1

G = 1000V/V

G = 10V/V

Bandwidth Limit

–15

–10

–5

100

Frequency (Hz)

10k

Output Voltage (V)

INPUT OVER-VOLTAGE V/I CHARACTERISTICS

OFFSET VOLTAGE WARM-UP

G ≥ 10

G = 1

G = 1000V/V

G = 1V/V

–1

–2

–3

–4

G = 1V/V

–5

–10

–15

G = 1000V/V

G = 1

G ≥ 10

–40

–30

–20

–10

Input Voltage (V)

Time After Power Supply Turn-On (s)

INPUT OFFSET VOLTAGE DRIFT

PRODUCTION DISTRIBUTION

QUIESCENT CURRENT AND SLEW RATE

vs TEMPERATURE

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

G = 100

1.4

0.5

I_Q

0.5

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

G = 10

G = 1

0.5

–80 –60 –40 –20

–75

–50

–25

100

125

Offset Voltage Drift (µV/°C)

Temperature (°C)

INA116

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