INA111BP

更新时间： 2024-02-16 09:19:02

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描述
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA111BP 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00002 µA	标称带宽 (3dB)：	2 MHz
最小共模抑制比：	80 dB	最大输入失调电流 (IIO)：	0.00001 µA
最大输入失调电压：	2500 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
最大非线性：	0.02%	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	标称压摆率：	17 V/us
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压增益：	10000	最小电压增益：	1
Base Number Matches：	1

INA111BP 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONT)

At T_A= +25°C, V_S= ±15V, unless otherwise noted.

TOTAL HARMONIC DISTORTION + NOISE

vs FREQUENCY

QUIESCENT CURRENT vs TEMPERATURE

0.1

3.5

3.4

3.3

3.2

3.1

3.0

V_O= 3Vrms, R_L= 2kΩ

Measurement BW = 80kHz

G = 1k

Single-Ended Drive G = 1

G = 100

G = 10

0.01

0.001

0.0001

Differential Drive G = 1

–75

–50

–25

100 125

100

10k 20k

Temperature (°C)

Frequency (Hz)

LARGE SIGNAL RESPONSE, G = 100

SMALL SIGNAL RESPONSE, G = 1

+10

+0.1

–0.1

–10

Time (µs)

LARGE SIGNAL RESPONSE, G = 100

SMALL SIGNAL RESPONSE, G = 1

+10

+0.1

–10

–0.1

Time (µs)

INA111

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