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IM1I-67205V-55

更新时间: 2024-01-17 12:21:50
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其他 - ETC 内存集成电路先进先出芯片时钟
页数 文件大小 规格书
21页 1218K
描述
x9 Asynchronous FIFO

IM1I-67205V-55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:55 ns最大时钟频率 (fCLK):14.28 MHz
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX9
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0004 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IM1I-67205V-55 数据手册

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