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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 65 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T64 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP64,.9 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M822S70CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M822S75CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 75ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M823L55CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IDT7M823S100CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M823S45C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M823S45CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IDT7M823S55C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M823S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M823S70CB | ETC |
获取价格 |
x8 Synchronous SRAM Module |
|
| IDT7M823S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP64 |
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