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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T64 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP64,.9 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M823S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP64 |
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| IDT7M823S70CB | ETC |
获取价格 |
x8 Synchronous SRAM Module |
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| IDT7M823S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP64 |
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| IDT7M825L55CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IDT7M825S100CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M825S45C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP64 |
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| IDT7M825S45CB | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| IDT7M825S50C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 50ns, CMOS, CDIP64 |
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| IDT7M825S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP64 |
|
| IDT7M825S60C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 60ns, CMOS, CDIP64 |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
一文AO3400引脚图、参数、产品特性
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