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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | CAVITY DOWN, CERAMIC, PGA-84 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 | 风险等级： | 5.86 |
| 地址总线宽度： | 32 | 位大小： | 32 |
| 边界扫描： | NO | 最大时钟频率： | 40 MHz |
| 外部数据总线宽度： | 32 | 格式： | FIXED POINT |
| 集成缓存： | NO | JESD-30 代码： | S-CPGA-P84 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 30.6705 mm |
| 低功率模式： | NO | DMA 通道数量： | |
| 外部中断装置数量： | 6 | 串行 I/O 数： | |
| 端子数量： | 84 | 片上数据RAM宽度： | |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA84,12X12 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| RAM（字数）： | 0 | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.207 mm | 速度： | 20 MHz |
| 子类别： | Microprocessors | 最大压摆率： | 350 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 30.6705 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROPROCESSOR, RISC | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT79R3051E-20GM | IDT | RISC Microprocessor, 32-Bit, 20MHz, CMOS, CPGA84, CAVITY DOWN, CERAMIC, PGA-84 |
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| IDT79R3051E-20J | IDT | RISControllers |
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| IDT79R3051E-20MJ | IDT | RISControllers |
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| IDT79R3051E-20PH | ETC | 32-Bit Microprocessor |
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| IDT79R3051E-20QJ | IDT | Microprocessor, 32-Bit, 20MHz, CMOS, CQCC84 |
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| IDT79R3051E-20QJB | IDT | Microprocessor, 32-Bit, 20MHz, CMOS, CQCC84 |
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