是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-XDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.0009 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.125 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 6 |
切换位: | NO | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT78C16A200TD | ETC | x8 EEPROM |
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IDT78C16A200TDB | ETC | x8 EEPROM |
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IDT78C16A250DB | ETC | x8 EEPROM |
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IDT78C16A250LB | ETC | x8 EEPROM |
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IDT78C16A250TDB | ETC | x8 EEPROM |
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IDT78C16A300DB | ETC | x8 EEPROM |
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