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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.0009 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.125 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | 切换位： | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT78C16A70TD | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C16A75DB | IDT |
获取价格 |
EEPROM |
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| IDT78C16A75LB | IDT |
获取价格 |
EEPROM |
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| IDT78C16A90D | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C16A90DB | ETC |
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x8 EEPROM |
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| IDT78C16A90L | ETC |
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x8 EEPROM |
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| IDT78C16A90LB | ETC |
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x8 EEPROM |
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| IDT78C16A90TD | ETC |
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x8 EEPROM |
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| IDT78C16A90TDB | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| IDT78C18A100L | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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