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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 350 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.0009 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.125 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| 切换位： | NO | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IDT78C16A350TDB | ETC | x8 EEPROM |
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| IDT78C16A55D | IDT | EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP24 |
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| IDT78C16A55L | IDT | EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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| IDT78C16A55TD | IDT | EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP24 |
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| IDT78C16A70D | ETC | x8 EEPROM |
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| IDT78C16A70DB | IDT | EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24 |
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