是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.78 | 最长访问时间: | 12 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 周期时间: | 20 ns |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 35.56 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72230L20TP | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L20TPB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L20TPBSCDS-W | IDT |
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FIFO, 2KX8, 12ns, Synchronous, CMOS, CDIP28 | |
IDT72230L25SCDS-W | IDT |
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FIFO, 2KX8, 15ns, Synchronous, CMOS, DIE | |
IDT72230L25TC | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L25TCB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L25TP | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L25TPB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72230L25TPBSCDS-W | IDT |
获取价格 |
FIFO, 2KX8, 15ns, Synchronous, CMOS, CDIP28 | |
IDT72230L25TPG | IDT |
获取价格 |
CMOS SyncFIFO |