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IDT71V416YL15BEG2

更新时间： 2024-02-12 16:20:45

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	138K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48

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IDT71V416YL15BEG2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

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3.3V CMOS Static RAM

for Automotive Applications

4 Meg (256K x 16-Bit)

IDT71V416YS

IDT71V416YL

Description

Features

◆

TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganized

as256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability

CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-

vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

speedmemoryneedsandautomotiveapplications.

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

Equal access and cycle times

◆

– Automotive:12/15/20ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

◆

TheIDT71V416has anoutputenablepinwhichoperates as fastas

5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand

outputsoftheIDT71V416areLVTTL-compatibleandoperationisfroma

single3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,requiring

noclocks orrefreshforoperation.

The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a

44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x

9mmpackage.

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

◆

Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-

pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,

9mm x 9mm package.

FunctionalBlockDiagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A0 - A17

High

Byte

I/O 15

I/O 8

Output

Chip

Select

Buffer

High

Byte

Write

Sense

Amps

and

Write

Drivers

4,194,304-bit

Memory

Array

Buffer

Write

Enable

Buffer

Low

Byte

I/O 7

I/O 0

Output

Buffer

Low

Byte

Write

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

6817 drw 01

DECEMBER 2004

DSC-6817/00

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IDT71V416YL15BEGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416YL15BEGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-48
IDT71V416YL15BEI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48
IDT71V416YL15BEI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48
IDT71V416YL15PH	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
IDT71V416YL15PHG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416YL15PHG4	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44
IDT71V416YL15PHGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
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