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IDT71V3579YS85PFG

更新时间： 2024-01-18 15:54:49

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艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	522K
描述
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V3579YS85PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	8.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	87 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.035 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.19 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with

3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

Commercial and Industrial Temperature Ranges

AbsoluteMaximumRatings⁽¹⁾

RecommendedOperating

TemperatureSupplyVoltage

Commercial &

Industrial Values

Symbol

Rating

Unit

Grade

Temperature⁽¹⁾

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

V^SS

V^DD

V^DDQ

(2)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to +4.6

Commercial

Industrial

3.3V±5%

(3,6)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

-0.5 to V^DD

-0.5 to V^DD+0.5

-0.5 to V^DDQ+0.5

-0 to +70

5280 tbl 04

NOTES:

1. TA is the "instant on" case temperature.

(4,6)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

(5,6)

V^TERM

Terminal Voltage with

Respect to GND

RecommendedDCOperating

Conditions

Commercial

^oC

Symbol

Parameter

Min. Typ.

3.135 3.3

Max.

Unit

Operating Temperature

(7)

T^A

V^DD

Core Supply Voltage

3.465

Industrial

-40 to +85

Operating Temperature

V^DDQI/O Supply Voltage

T^BIAS

Temperature

Under Bias

-55 to +125

V^SS

V^IH

Supply Voltage

____

Input High Voltage - Inputs

Input High Voltage - I/O

Input Low Voltage

2.0

V^DD+0.3

V^DDQ+0.3^{(1 )}

0.8

Storage

-55 to +125

T^STG

____

V^IH

2.0

Temperature

V^IL

-0.3^{(2 )}

P^T

Power Dissipation

DC Output Current

2.0

5280 tbl 06

NOTES:

I^OUT

1. VIH (max) = VDDQ + 1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.

2. VIL (min) = -1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.

5280 tbl 03

NOTES:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may

cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional

operation of the device at these or any other conditions above those indicated

in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.

2. VDD terminals only.

3. VDDQ terminals only.

4. Input terminals only.

5. I/O terminals only.

6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supplies have

ramped up. Power supply sequencing is not necessary; however, the voltage

on any input or I/O pin cannot exceed VDDQ during power supply ramp up.

7. TA is the "instant on" case temperature.

100PinTQFPCapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0mhz)

119BGACapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0mhz)

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

VIN = 3dV

VOUT = 3dV

Max. Unit

Symbol

CIN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

VIN = 3dV

VOUT = 3dV

Max. Unit

Symbol

CIN

CI/O

5280 tbl 07

5280 tbl 07a

165fBGACapacitance

(TA = +25° C, f = 1.0mhz)

Symbol

CIN

Parameter⁽¹⁾

Input Capacitance

I/O Capacitance

Conditions

VIN = 3dV

VOUT = 3dV

Max. Unit

CI/O

5280 tbl 07b

NOTE:

1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.

6.442

1 2 345 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V3579YS85PFGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579YS85PFGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
IDT71V3579YS85PFI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
IDT71V3579YSA65BG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3579YSA65BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3579YSA65BGG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3579YSA65BGG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3579YSA65BQ8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3579YSA65BQG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3579YSA75BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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