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IDT71V3579S75PFGI

更新时间： 2024-02-18 20:22:50

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艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	522K
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128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V3579S75PFGI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.74	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	117 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.255 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

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IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with

3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA

(4)

CE1

BW3

BW4

VSS

BW2

BW1

VSS

CS1

CLK

VSS

BWE

VSS

ADSC

ADV

(4)

CS0

ADSP

VDDQ

I/OP3

I/O17

I/O19

I/O21

I/O23

VSS⁽¹⁾

VDDQ

VSS

VDD

I/OP2

I/O14

I/O12

I/O10

I/O8

I/O16

I/O18

I/O20

I/O22

VDD

I/O15

I/O13

I/O11

I/O9

(3)

I/O

DDQ

I/O

I/O27

I/O29

I/O31

I/OP4

I/O26

I/O28

I/O30

VDDQ

VDD

VSS

VDD

VSS

A10

A11

VDDQ

A13

I/O5

I/O3

I/O1

I/O4

I/O2

I/O0

(4)

TRST^{(2, 5)}

I/OP1

NC/

(4)

(2)

(4)

NC/TDI

NC/TDO

A14

A15

(4)

(2)

NC/TMS⁽²⁾

NC/TCK

A12

A16

LBO

5280 tbl 17

Pin Configuration 256K x 18, 165 fBGA

ADSC

(4)

A10

CE1

BW2

CS1

CLK

VSS

BWE

VSS

ADV

(4)

CS0

BW1

VSS

ADSP

VDDQ

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

VDDQ

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

A11

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

A15

A16

I/OP1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS⁽¹⁾

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/OP2

(3)

VDDQ

A14

TRST^{(2, 5)}

(4)

NC/

(4)

(2)

(4)

NC/TDI

NC/TDO

(4)

(2)

NC/TMS⁽²⁾

NC/TCK

A12

A13

A17

LBO

5280 tbl 17a

NOTES:

1. H1 does not have to be directly VSS as long as input voltage is < VIL

2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to VSS, VDD or left floating.

3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.

4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M, 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.

5. TRST is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.

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IDT71V3579S80BGGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579S80BQ	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V3579S80BQG	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579S80BQGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
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IDT71V3579S80PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
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IDT71V3579S80PFG	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V3579S80PFGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,

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