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IDT71V2576SA133BQG

更新时间： 2024-01-29 18:44:18
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 620K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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IDT71V2576SA133BQG 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA,针数：165
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：4.2 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B165JESD-609代码：e0
长度：15 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：165
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：13 mm
Base Number Matches：1

IDT71V2576SA133BQG 数据手册

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128K X 36, 256K X 18  
IDT71V2576S  
IDT71V2578S  
IDT71V2576SA  
IDT71V2578SA  
3.3VSynchronousSRAMs  
2.5V I/O, Pipelined Outputs,  
Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Features  
Description  
◆
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
The IDT71V2576/78 are high-speed SRAMs organized as 128K x  
36/256Kx18.TheIDT71V2576/78SRAMscontainwrite,data,address  
andcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-  
timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewrite  
cycle.  
◆
Supports high system speed:  
CommercialandIndustrial:  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
◆
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
◆
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V2576/78canprovidefourcyclesofdata  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
2.5V I/O  
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
compliant) datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.  
grid array (fBGA)  
forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
◆
◆
◆
◆
◆
The IDT71V2576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
A0-A17  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Output  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS  
0
, CS  
1
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
GW  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
BWE  
BW , BW  
(1)  
1
2
, BW  
3
, BW  
4
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Test Mode Select  
Test Data Input  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
TMS  
TDI  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
TCK  
TDO  
TRST  
ZZ  
Test Clock  
Test Data Output  
Synchronous  
Asynchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
JTAG Reset (Optional)  
Sleep Mode  
I/O  
0
-I/O31, I/OP1-I/OP4  
DD, VDDQ  
SS  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
V
Supply  
Supply  
V
N/A  
4876 tbl 01  
NOTE:  
JUNE 2003  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2578.  
1
©2003IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-4876/09  
1234567...22

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与IDT71V2576SA133BQG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V2576SA133BQGI IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V2576SA133BQI IDT

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 		128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576SA133PF IDT

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 		128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576SA133PFI IDT

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 		128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576SA150BG IDT

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 		128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2576SA150BGG IDT

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 		暂无描述
IDT71V2576SA150BGGI IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V2576SA150BGI IDT

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