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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MPAK |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 18 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 最大电压容差： | 2.2% |
| 工作测试电流： | 5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZM18NB3 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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| HZM18NB3TL | RENESAS |
获取价格 |
18V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM18NB3TL-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HZM18NB3TR | RENESAS |
获取价格 |
18V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM18NB3TR | HITACHI |
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Zener Diode, 18.62V V(Z), 2.2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-59A, 3 PIN |
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| HZM18NB3TR-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HZM18NBTL | HITACHI |
获取价格 |
Zener Diode, 17.985V V(Z), 5.81%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-59A, 3 PIN |
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| HZM18NBTR | HITACHI |
获取价格 |
Zener Diode, 17.985V V(Z), 5.81%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SC-59A, 3 PIN |
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| HZM18NBTR-E | RENESAS |
获取价格 |
18V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, MPAK-3 |
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| HZM2.0N | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer |
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