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HY638100AT2-20

更新时间: 2024-01-27 04:53:08
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页 222K
描述
x8 SRAM

HY638100AT2-20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.002 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.14 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY638100AT2-20 数据手册

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