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HY62SF8100SLST-15

更新时间： 2024-01-23 01:21:58
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

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HY62SF8100SLST-15 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e6
长度：11.8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2.3 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HY62SF8100SLST-15 数据手册

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HY62SF8100 Series  
128Kx8bit full CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62SF8100 is a high speed, low power and  
1M bit full CMOS SRAM organized as 131,072  
words by 8bit. The HY62SF8100 uses high  
performance full CMOS process technology and  
designed for high speed low power circuit  
technology. It is particularly well suited for used in  
high density low power system application. This  
device has a data retention mode that guarantees  
data to remain valid at a minimum power supply  
voltage of 1.5V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
-. 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
·
-. 32 - sTSOPI - 8X13.4(Standard)  
Product  
No.  
HY62SF8100  
HY62SF8100-I  
Voltage  
(V)  
1.7~2.3  
1.7~2.3  
Speed  
(ns)  
120/150/200  
120/150/200  
Operation  
Current/Icc(mA)  
Standby Current(uA) Temperature  
LL  
5
SL  
1
(°C)  
0~70  
5
5
5
1
-40~85(I)  
Note 1. Blank : Commercial, I : Industrial  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
A0  
ROW  
DECODER  
I/O1  
/OE  
A10  
/CS1  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
Vss  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
A0  
A11  
A9  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
2
A8  
3
A13  
/WE  
CS2  
A15  
Vcc  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
4
5
6
7
MEMORY ARRAY  
128K x 8  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A1  
I/O8  
A16  
A5  
A2  
A4  
A3  
/CS1  
CS2  
/OE  
sTSOP I( Stanard )  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Function  
Pin Name  
Pin Function  
Address Input  
/CS1  
CS2  
/WE  
/OE  
Chip Select 1  
Chip Select 2  
Write Enable  
Output Enable  
A0 ~ A16  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
Data Input/Output  
Power( 1.7V~2.3V )  
Ground  
Vss  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.08 /Jun. 00  
Hyundai Semiconductor  
12345678

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与HY62SF8100SLST-15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62SF8100SLST-15I HYNIX

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 		Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
HY62SF8200ALLM-10 HYNIX

获取价格

 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48
HY62SF8200ALLM-10I HYNIX

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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48
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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48
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 		Standard SRAM, 256KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, CSP, BGA-48
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 		Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
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