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HY5V26EFP-6I

更新时间： 2024-01-04 04:47:55

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	511K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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HY5V26EFP-6I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.33	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V26EFP-6I 数据手册

Synchronous DRAM Memory 128Mbit (8Mx16bit)

HY5V26E(L)F(P)-xxI Series

CAPACITANCE (TA = -40 C to 85 C, f=1MHz, VDD=3.3V)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

CLK

CI1

2.0

4.0

Input capacitance

A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,

WE, LDQM, UDQM

CI2

2.0

3.0

4.0

5.5

Data input / output capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

DC CHARACTERISTICS I (TA = -40 C to 85 C)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

ILO

-1

2.4

VOH

VOL

IOH = -2mA

0.4

IOL = +2mA

Note: 1. VIN = 0 to 3.3V, All other balls are not tested under VIN =0V

2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Rev. 1.1 / Apr. 2005

1...4 5 678 9 10...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HY5V26ELF-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
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