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HY57V281620BLT-6

更新时间: 2024-02-12 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 187K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

HY57V281620BLT-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32针数:54
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e6
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.24 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V281620BLT-6 数据手册

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HY57V281620B(L)T  
CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)  
-6/K/H  
Max  
-8/P/S  
Unit  
Parameter  
Pin  
Symbol  
Min  
Min  
Max  
Input capacitance  
CLK  
CI1  
CI2  
2.5  
2.5  
3.5  
3.8  
2.5  
2.5  
4.0  
5.0  
pF  
pF  
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,  
WE, UDQM, LDQM  
Data input / output capacitance  
DQ0 ~ DQ15  
CI/O  
4.0  
6.5  
4.0  
6.5  
pF  
OUTPUT LOAD CIRCUIT  
Vtt=1.4V  
RT=250 Ω  
Output  
Output  
50pF  
50pF  
DC Output Load Circuit  
AC Output Load Circuit  
DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max  
Unit  
Note  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
ILI  
-1  
-1  
2.4  
-
1
1
uA  
uA  
V
1
2
ILO  
VOH  
VOL  
-
IOH = -2mA  
IOL = +2mA  
0.4  
V
Note :  
1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under VIN =0V  
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6  
Rev. 0.1/Nov. 01  
6

与HY57V281620BLT-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY57V281620BLT-7 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BLT-K HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BLT-P HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT ETC 8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

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HY57V281620BT-6 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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HY57V281620BT-8 HYNIX Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

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