Datasheet > HY57V281620BLT-6

HY57V281620BLT-6

更新时间： 2024-02-07 17:12:27

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	187K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY57V281620BLT-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V281620BLT-6 数据手册

HY57V281620B(L)T

PIN CONFIGURATION

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

VSS

DQ5 10

DQ6 11

VSSQ 12

DQ7 13

VDD 14

LDQM 15

/WE 16

/CAS 17

/RAS 18

/CS 19

BA0 20

BA1 21

A10/AP 22

A0 23

54pin TSOP II

400mil x 875mil

0.8mm pin pitch

UDQM

CLK

CKE

A11

A1 24

A2 25

A3 26

VDD 27

VSS

PIN DESCRIPTION

PIN NAME

DESCRIPTION

The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the

rising edge of CLK

CLK

Clock

Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will be one

of the states among power down, suspend or self refresh

CKE

Clock Enable

Chip Select

Enables or disables all inputs except CLK, CKE, UDQM and LDQM

Selects bank to be activated during RAS activity

Selects bank to be read/written during CAS activity

BA0, BA1

A0 ~ A11

Bank Address

Row Address : RA0 ~ RA11, Column Address : CA0 ~ CA8

Auto-precharge flag : A10

Address

Row Address Strobe, Col-

umn Address Strobe, Write

Enable

RAS, CAS and WE define the operation

Refer function truth table for details

RAS, CAS, WE

UDQM, LDQM

DQ0 ~ DQ15

VDD/VSS

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode

Multiplexed data input / output pin

Power Supply/Ground

Data Output Power/Ground

No Connection

Power supply for internal circuits and input buffers

Power supply for output buffers

VDDQ/VSSQ

No connection

Rev. 0.1/Nov. 01

1 234 5 6 7...14

下载PDF

与HY57V281620BLT-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V281620BLT-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BLT-K	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BLT-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BT	ETC	8Mx16\|3.3V\|4K\|6/K/H/8/P/S\|SDR SDRAM - 128M	获取价格
HY57V281620BT-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格
HY57V281620BT-8	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54	获取价格

与HY57V281620BLT-6相关文章

MAX6675资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

5
LM258引脚图及功能介绍、主要参数分析
2024-05-13

3
CD4052资料手册参数详解、引脚配置说明
2024-05-13

5
一文带你了解TPS5430资料手册分析：参数介绍、引脚配置说明
2024-05-13

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V281620BLT-6

HY57V281620BLT-6 技术参数

HY57V281620BLT-6 数据手册

与HY57V281620BLT-6相关器件

与HY57V281620BLT-6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V281620BLT-6

HY57V281620BLT-6 技术参数

HY57V281620BLT-6 数据手册

与HY57V281620BLT-6相关器件

与HY57V281620BLT-6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？