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HY57V281620AT-K

更新时间: 2024-02-07 12:05:28
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
13页 97K
描述
4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

HY57V281620AT-K 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.85Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.238 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V281620AT-K 数据手册

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HY57V281620A  
DC CHARACTERISTICS II (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)  
Speed  
-H  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Unit Note  
-6  
-7  
-K  
-8  
-P  
-S  
Burst length=1, One bank active  
tRC ³ tRC(min), IOL=0mA  
120  
120  
110  
110  
100  
100  
100  
mA  
mA  
1
Operating Current  
IDD1  
IDD2P  
CKE £ VIL(max), tCK = 15ns  
2
2
Precharge Standby Current  
in Power Down Mode  
IDD2PS CKE £ VIL(max), tCK = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCK = 15ns  
IDD2N  
Input signals are changed one time during  
2clks. All other pins ³ VDD-0.2V or £ 0.2V  
20  
10  
Precharge Standby Current  
in Non Power Down Mode  
mA  
mA  
CKE ³ VIH(min), tCK = ¥  
Input signals are stable.  
IDD2NS  
IDD3P  
CKE £ VIL(max), tCK = 15ns  
7
7
Active Standby Current  
in Power Down Mode  
IDD3PS CKE £ VIL(max), tCK = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCK = 15ns  
40  
40  
IDD3N  
Input signals are changed one time during  
2clks. All other pins ³ VDD-0.2V or £ 0.2V  
Active Standby Current  
mA  
mA  
in Non Power Down Mode  
CKE ³ VIH(min), tCK = ¥  
Input signals are stable.  
IDD3NS  
140  
100  
240  
130  
100  
240  
120  
120  
240  
120  
100  
220  
2
110  
100  
200  
100  
100  
200  
100  
100  
200  
CL=3  
Burst Mode Operating  
Current  
tCK ³ tCK(min), IOL=0mA  
1
IDD4  
IDD5  
IDD6  
All banks active  
CL=2  
mA  
mA  
uA  
2
3
4
Auto Refresh Current  
Self Refresh Current  
tRRC ³ tRRC(min), All banks active  
CKE £ 0.2V  
800  
Note :  
1.IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open  
2.Min. of tRRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II  
3.HY57V281620AT-6/7/K/H/8/P/S  
4.HY57V281620ALT-6/7/K/H/8/P/S  
Rev. 1.3/Aug. 01  
7

与HY57V281620AT-K相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY57V281620AT-KI HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620AT-P HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620AT-PI HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620AT-S HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620AT-SI HYNIX 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

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HY57V281620BLT ETC 8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

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