是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY514370TC70 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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HY514370TC-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40 |
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HY514370TC80 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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HY514370TC-80 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-44/40 |
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HY514400 | ETC |
获取价格 |
1M x 4-bit CMOS DRAM |
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HY514400A | ETC |
获取价格 |
1M x 4-bit CMOS DRAM |
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HY514400AJ | ETC |
获取价格 |
1M x 4-bit CMOS DRAM |
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HY514400AJ50 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY514400AJ-50 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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HY514400AJ60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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