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HT6116-70(24SOIC)

更新时间: 2024-02-18 03:56:50
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管LTE
页数 文件大小 规格书
10页 254K
描述
x8 SRAM

HT6116-70(24SOIC) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SO24(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SO24(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HT6116-70(24SOIC) 数据手册

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