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HT6116-7LL(24DIP)

更新时间: 2024-01-16 15:35:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管LTE
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9页 237K
描述
x8 SRAM

HT6116-7LL(24DIP) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SO24(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HT6116-7LL(24DIP) 数据手册

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