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HT0808-15A

更新时间： 2022-02-26 12:48:22

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描述
GaN Hybrid Power Amplifier

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HT0808-15A 数据手册

HT0808-15A

GaN Hybrid Power Amplifier

Absolute Maximum Ratings

PARAMETER

UNIT

RATING

SYMBOL

Vgs1

Vgs2

Gate-Source Voltage

-10 ~ 0

Drain-Source Voltage

Gate Current

°C

5.7

Vds

Operating Junction Temperature

Operating Case Temperature

Storage Temperature

225

T_J

°C

-30 ~ 85

-40 ~ 100

T_C

°C

T_STG

Maximum RF Input Level

dBm

Operating Voltage & Input Level

PARAMETER

Drain Voltage

UNIT

MIN

TYP

-3

MAX

28.5

-2

SYMBOL

Vds

27.5

Gate Voltage (on-stage)

Gate Voltage (off-stage)

Idq1

Vgs 1

Vgs 2

Vgs 1

Vgs 2

Idq1

-3

-2

-8

dBm

48.5

100

105

52.5

110

Idq2

RF Input Level

Block Diagram

GaN on SiC

Korean Facilities : 82-31-8069-3036 / rfsales@rfhic.com

US Facility : 919-677-8780 / sales@rfhicusa.com

All specifications may change without notice

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