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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE , LOW LEAKAGE CURRENT | 应用： | EFFICIENCY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.8 V |
| JEDEC-95代码： | DO-215AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 最大反向电流： | 250 µA |
| 反向测试电压： | 80 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HSM580GE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 80V V(RRM), Silicon, DO-215AB, SMCG, 2 |
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| HSM580GE3/TR13 | MICROSEMI | DIODE SCHOTTKY 80V 5A DO215AB |
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| HSM580J | ETC | Schottky Rectifier |
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| HSM580J/TR13 | MICROSEMI | DIODE SCHOTTKY 80V 5A DO214AB |
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| HSM580JE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMCJ, 2 |
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| HSM580JE3/TR13 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 80V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COM |
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