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HS9-26C32EH-Q

更新时间： 2024-02-17 15:24:13

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		接口集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	244K
描述
IC,LINE RECEIVER,QUAD,CMOS, RAD HARD,DIFFERENTIAL,FP,16PIN,CERAMIC

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技术参数
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HS9-26C32EH-Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DFP, FL16,.3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	输入特性：	DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	LINE RECEIVER	接口标准：	EIA-422
JESD-30 代码：	R-CDFP-F16	JESD-609代码：	e4
功能数量：	4	端子数量：	16
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出低电流：	0.006 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL16,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大接收延迟：	40 ns
接收器位数：	4	子类别：	Line Driver or Receivers
最小供电电压：	5 V	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Gold (Au)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
总剂量：	300k Rad(Si) V	Base Number Matches：	1

HS9-26C32EH-Q 数据手册

HS-26C32RH, HS-26C32EH

Top Metallization:

Die Characteristics

DIE DIMENSIONS:

M1: Mo/Tiw

Thickness: 5800Å

M2: Al/Si/Cu

78 mils x 123 mils

(1970µm x 3120µm)

Thickness: 5800Å

Worst Case Current Density:

INTERFACE MATERIALS:

Glassivation:

<2.0 x 10 A/cm

Type: SiO

Bond Pad Size:

Thickness: 10kÅ  1kÅ

110µm x 100µm

Metallization Mask Layout

HS-26C32RH, HS-26C32EH

AIN

(1)

(16)

BIN

(15)

(14) B

AIN (2)

(13) B

OUT

(3)

OUT

ENAB (4)

(12) ENAB

(11) D

OUT

(5)

(6)

OUT

(10) D

(7)

CIN

(8)

(9)

GND

DIN

FN3402.5

May 28, 2013

1 2 34

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