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HMU65797K-5

更新时间: 2024-02-14 02:26:58
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 218K
描述
x1 SRAM

HMU65797K-5 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J24内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HMU65797K-5 数据手册

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