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HMT325V7BFR8C-G7

更新时间: 2024-02-12 14:47:31
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
61页 1050K
描述
DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

HMT325V7BFR8C-G7 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK):533 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240JESD-609代码:e1
长度:133.35 mm内存密度:19327352832 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:18.9 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.336 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:1.75 mA
最大供电电压 (Vsup):1.575 V最小供电电压 (Vsup):1.425 V
标称供电电压 (Vsup):1.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:3.65 mm
Base Number Matches:1

HMT325V7BFR8C-G7 数据手册

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240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM  
DDR3 SDRAM VLP  
Registered DIMM  
Based on 2Gb B-die  
HMT325V7BFR8C  
HMT351V7BFR8C  
HMT41GV7BMR8C  
HMT41GV7BMR4C  
*Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.  
Rev. 0.1 / Feb. 2010  
1

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