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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | DIMM, DIMM204,24 |
| 针数： | 204 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.81 | 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.225 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 800 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XZMA-N204 | 长度： | 67.6 mm |
| 内存密度： | 17179869184 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 204 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM204,24 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 30.13 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.096 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.48 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.6 mm | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 3.8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HMT325S6CFR8C-G7 | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb C-die |
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| HMT325S6CFR8C-H9 | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb C-die |
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| HMT325S6CFR8C-PB | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb C-die |
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| HMT325S6EFR8A | HYNIX |
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DDR3L SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8A-G7 | HYNIX |
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DDR3L SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8A-H9 | HYNIX |
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DDR3L SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8A-PB | HYNIX |
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DDR3L SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8C | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8C-G7 | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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| HMT325S6EFR8C-H9 | HYNIX |
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DDR3 SDRAM Unbuffered SODIMMs Based on 2Gb E-die |
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