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HMC616LP3

更新时间: 2024-01-24 21:28:10
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
10页 351K
描述
GaAs SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 175 - 660 MHz

HMC616LP3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:LCC16,.12SQ,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.87安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:16
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC16,.12SQ,20
电源:3/5 V射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:115 mA
表面贴装:YES技术:GAAS
Base Number Matches:1

HMC616LP3 数据手册

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HMC616LP3 / 616LP3E  
v00.0508  
GaAs SMT PHEMT LOW NOISE  
AMPLIFIER, 175 - 660 MHz  
5
[1]  
Broadband Gain & Return Loss  
Gain vs. Temperature  
25  
20  
15  
10  
5
24  
S21  
22  
Vdd= 5V  
Vdd= 3V  
20  
0
S22  
+25C  
+85C  
- 40C  
-5  
18  
16  
14  
-10  
-15  
-20  
-25  
S11  
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7  
FREQUENCY (GHz)  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
FREQUENCY (GHz)  
[2]  
[1]  
Gain vs. Temperature  
Input Return Loss vs. Temperature  
24  
0
22  
+25C  
+85C  
- 40C  
-5  
-10  
-15  
-20  
20  
+25C  
+85C  
- 40C  
18  
16  
14  
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7  
FREQUENCY (GHz)  
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7  
FREQUENCY (GHz)  
[1]  
[1]  
Reverse Isolation vs.Temperature  
Output Return Loss vs. Temperature  
0
0
-5  
+25C  
+85C  
- 40C  
-5  
-10  
-15  
-20  
-10  
+25C  
+85C  
- 40C  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7  
FREQUENCY (GHz)  
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7  
FREQUENCY (GHz)  
[1] Vdd = 5V [2] Vdd = 3V  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 237  

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