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HMC548LP3E

更新时间： 2024-02-29 16:32:31

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亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	964K
描述
Low Noise Amplifier SMT, 1.2 - 3.0 GHz

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HMC548LP3E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	23 dB	最大输入功率 (CW)：	-5 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	16
最大工作频率：	3000 MHz	最小工作频率：	1200 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	30 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC548LP3E 数据手册

HMC548LP3 / 548LP3E

v03.1011

SiGe HBT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 1.2 - 3.0 GHz

[3]

Small Signal Parameters Input Stage

Small Signal Parameters Output Stage

S21

S11

S22

S12

-10

-20

-30

-40

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

S21

S11

S22

S12

-40

0.5

1.5

2.5

3.5

0.5

1.5

2.5

3.5

FREQUENCY (GHz)

[3]

P1dB Individual Stages

Noise Figure Individual Stages

Input Stage

Output Stage

P1dB Input Stage

P1dB Output Stage

-1

-5

0.5

1.5

2.5

3.5

0.5

1.5

2.5

3.5

FREQUENCY (GHz)

[3] Vcc = +5V.

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App t Supp : Pho :

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