HMC283LM1

更新时间： 2024-02-19 03:16:46

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HITTITE		放大器射频微波
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8页	368K
描述
SMT MEDIUM POWER GaAs MMIC AMPLIFIER, 17 - 40 GHz

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HMC283LM1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LCC8,.2SQ,40
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15 dB
最大输入功率 (CW)：	8 dBm	JESD-609代码：	e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	8
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	17000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装等效代码：	LCC8,.2SQ,40	电源：	3.5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	330 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

HMC283LM1 数据手册

HMC283LM1

v04.1201

MICROWAVE CORPORATION

SMT MEDIUM POWER GaAs MMIC

AMPLIFIER, 17 - 40 GHz

Power Compression @ 20 GHz

P1dB vs.Temperature

Gain

+25 C

-40 C

Pout

PAE

+85C

16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

FREQUENCY (GHz)

-10

-8

-6

-4

-2

INPUT POWER (dBm)

Psat vs.Temperature

Power Compression @ 28 GHz

+25 C

-40 C

Gain

Pout

+85C

PAE

16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

-10

-8

-6

-4

-2

FREQUENCY (GHz)

INPUT POWER (dBm)

Power Compression @ 39 GHz

Output IP3 vs.Temperature

Frequency (GHz)

Gain

Temperature

-40 °C

29.0

28.5

27.5

28.0

27.5

26.0

31.0

28.5

24.5

+25 °C

+85 °C

Pout

All levels in dBm

PAE

-10

-8

-6

-4

-2

INPUT POWER (dBm)

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 16

1 234 5 6 7 8

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